莫要武
莫要武先生于1968年出生,中国国籍,拥有美国永久居留权,半导体物理与半导体器件物理专业,中国科学院上海技术物理研究所博士学历。莫要武于1992年2月至1997年12月,担任上海科学技术大学(今上海大学)讲师;1997年12月至2003年4月,担任日本大阪府立产业技术综合研究所客座研究员;2003年4月至2005年2月,历任日本Seiko Epson Corporation公司主任工程师、高级模拟设计工程师;2005年3月至2006年7月,担任Micron Technology,Inc.公司日本图像传感器设计中心高级模拟设计工程师;2006年7月至2008年10月,担任Micron Technology,Inc.公司高级模拟设计工程师;2008年10月至2009年9月,担任Aptina,Inc.公司高级模拟设计...
人物介绍
系统摘要
莫要武先生于1968年出生,中国国籍,拥有美国永久居留权,半导体物理与半导体器件物理专业,中国科学院上海技术物理研究所博士学历。莫要武于1992年2月至1997年12月,担任上海科学技术大学(今上海大学)讲师;1997年12月至2003年4月,担任日本大阪府立产业技术综合研究所客座研究员;2003年4月至2005年2月,历任日本Seiko Epson Corporation公司主任工程师、高级模拟设计工程师;2005年3月至2006年7月,担任Micron Technology,Inc.公司日本图像传感器设计中心高级模拟设计工程师;2006年7月至2008年10月,担任Micron Technology,Inc.公司高级模拟设计工程师;2008年10月至2009年9月,担任Aptina,Inc.公司高级模拟设计...
履历摘要
曾任日本Seiko Epson Corporation公司主任工程师、高级模拟设计工程师;2005年3月至2006年7月,担任Micron Technology,Inc.公司日本图像传感器设计中心高级模拟设计工程师;2006年7月至2008年10月,担任Micron Technology,Inc.公司高级模拟设计工程师;2008年10月至2009年9月,担任Aptina,Inc.公司高级模拟设计工程师;2009年9月至2017年2月,历任OmniVision Technologies,Inc.公司高级经理、产品设计总监、高级产品设计总监。2017年2月至今任职于公司,担任公司副总经理。
近期变动 0
当前还没有这个人物的近期变动记录。
原始简历来源 1
莫要武先生于1968年出生,中国国籍,拥有美国永久居留权,半导体物理与半导体器件物理专业,中国科学院上海技术物理研究所博士学历。莫要武于1992年2月至1997年12月,担任上海科学技术大学(今上海大学)讲师;1997年12月至2003年4月,担任日本大阪府立产业技术综合研究所客座研究员;2003年4月至2005年2月,历任日本Seiko Epson Corporation公司主任工程师、高级模拟设计工程师;2005年3月至2006年7月,担任Micron Technology,Inc.公司日本图像传感器设计中心高级模拟设计工程师;2006年7月至2008年10月,担任Micron Technology,Inc.公司高级模拟设计工程师;2008年10月至2009年9月,担任Aptina,Inc.公司高级模拟设计工程师;2009年9月至2017年2月,历任OmniVision Technologies,Inc.公司高级经理、产品设计总监、高级产品设计总监。2017年2月至今任职于公司,担任公司副总经理。